Ingénieur(e) d’étude - CDD 11 mois
"Procédés d’élaboration du diamant en couches minces"
Affectation :
Laboratoire : Groupe d’Etude de la Matière Condensée (GEMaC), Unité Mixte de Recherche entre le
CNRS et l'Université de Versailles-St Quentin en Yvelines
Code laboratoire : UMR 8635
Directeur : Niels Keller
Lieu d’affectation : Université de Versailles St Quentin - 45, av des Etats Unis - 78035 Versailles
Contact : Marie-Amandine Pinault-Thaury (01-39-25-44-89) marie-amandine.pinault-thaury@uvsq.fr
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Contexte scientifique :
La réalisation de diamant de conductivité électrique élevée est un des obstacles à franchir pour
le développement d’une filière microélectronique dédiée à la fabrication de composants fonctionnant à
haute température (>200°C) et haute tension (>1200 V). Les enjeux sont importants puisque la levée
de ce verrou pourrait apporter aux industriels de l’aéronautique, du ferroviaire et de la défense une
avance technologique considérable sur un domaine encore non exploité au niveau mondial.
La recherche de l’équipe « diamant pour l’électronique » (DIAM) du GEMaC est axée sur
l’élaboration et l’étude des propriétés physiques des impuretés dans les couches semiconductrices de
diamant. Deux approches sont menées de front :
- le dopage de type n (conduction par les électrons) par incorporation d’atomes de phosphore
à l’aide d’un précurseur organométallique (MOCVD) introduit pendant l’épitaxie en phase vapeur
assistée par plasma micro-ondes (MPCVD) ;
- la physique des complexes bore-hydrogène - plus généralement hydrogène-défauts - dans le
diamant de type p obtenus après diffusion sous plasma d’hydrogène ou de deutérium
(hydrogénation/deutération).
Mission :
Au sein de l’équipe « diamant pour l’électronique » du GEMaC, l'ingénieur d’étude conçoit,
développe et met en place des techniques et procédés d’épitaxie en phase vapeur assistée par
plasma micro-ondes permettant la réalisation de couches minces semiconductrices de diamant et les
techniques associées pour leur traitement post-croissance (recuit, diffusion).
Activités :
- Conduire un ensemble de techniques d'élaboration MPCVD et de post-traitement
- Gérer plusieurs réacteurs de croissance et de post-traitement (MPCVD, recuit thermique, etc).
- Organiser les interventions d'entretien et de maintenance
- Développer et adapter tout ou partie des réacteurs de croissance et de post-traitement en
s’appuyant sur les savoir-faire du laboratoire (panneaux de mélange et de dilution des gaz et des
précurseurs organométalliques, etc)
- Interagir avec les fournisseurs de matériels, d’équipements et d’instrumentation
- Diffuser et valoriser les technologies développées
Compétences et connaissances :
- Techniques du vide et traitements thermiques (technologies du vide/ultravide, régulation des flux
gazeux, mesures de températures et de pressions,…)
- Sciences des matériaux et Techniques instrumentales
- Risques chimiques et sécurités liés aux techniques de croissance par CVD aux organométalliques
- Anglais lu
Niveau minimum requis : Bac + 3

marie-amandine.pinault-thaury@uvsq.fr